Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI35CN10N G
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI35CN10N
IPI35CN10N G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI35CN10N G, N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltaj aralığında 27A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük 35mOhm (10V, 27A) on-state direnci ile yüksek verimlilik sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, motor kontrol, inverter devreleri ve boost/buck dönüştürücülerde kullanılır. 58W maksimum güç disipasyonu ve 24nC gate charge değerleri ile hızlı komütasyon performansı sağlar. Through-hole montaj tipi ile PCB'lere doğrudan lehimlenebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok