Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI320N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI320N20N3G
IPI320N20N3GAKSA1 Hakkında
IPI320N20N3GAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 32mΩ (10V, 34A'de) ile düşük on-state direnci sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 136W güç dağılımına dayanır. Gate eşik gerilimi 4V'tur. MOSFET yapısı sayesinde hızlı anahtarlama özellikleri ve düşük gate charge (29nC) ile verimli kontrol imkanı sunar. Motor kontrolü, güç kaynakları ve anahtarlamali güç uygulamalarında tercih edilir. Bileşen yeni tasarımlar için kullanımdan kaldırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok