Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI26CNE8N
IPI26CNE8N G Hakkında
IPI26CNE8N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 85V drain-source gerilimi ve 35A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel motor kontrol, güç kaynakları ve invertör devreleri gibi uygulamalarda yer alır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve maksimum 71W güç tüketebilir. Gate charge değeri 31nC olup hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2070 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 39µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok