Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI25N06S3-25
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI25N06S3
IPI25N06S3-25 Hakkında
IPI25N06S3-25, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source voltajında 25A sürekli drain akımı sağlayan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları ve endüstriyel uygulamalarda kullanılır. TO-262-3 pakette sunulan komponent, 10V gate sürücü voltajında 25.1mOhm'luk düşük RDS(on) direnci ile verimli çalışır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu transistör, 41nC gate charge ve 1862pF input kapasitasına sahiptir. Yüksek frekans anahtarlama uygulamaları için uygun olan cihaz, 48W maksimum güç dağıtımına dayanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1862 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 48W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25.1mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok