Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI200N15N3 G
MOSFET N-CH 150V 50A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI200N15N3
IPI200N15N3 G Hakkında
IPI200N15N3 G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 150V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 20mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında 150W güç dağıtabilir. ±20V gate voltajı ve 4V eşik gerilimi özellikleriyle kontrollü anahtarlama işlemleri gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1820 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok