Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI16CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI16CNE8N
IPI16CNE8N G Hakkında
Infineon Technologies IPI16CNE8N G, 85V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. 53A sürekli dren akımı kapasitesi ve 16.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 48nC gate charge ve 3230pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir işlem yapabilir. Maksimum 100W güç tüketimi kapasitesiyle endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 85 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok