Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI16CN10N G
MOSFET N-CH 100V 53A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI16CN10N
IPI16CN10N G Hakkında
IPI16CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim ve 53A sürekli drain akımı ile tasarlanan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) kasa tipinde sunulan komponent, 16.2mOhm on-state direnç değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile +175°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığında, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları ve endüstriyel otomasyon sistemlerinde yer bulur. 48nC gate charge ve 3220pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama performansı sunar. Ürün üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 53A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok