Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI14N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI14N03LA
IPI14N03LA Hakkında
IPI14N03LA, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 30A sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 13.9mOhm RDS(on) değerine sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. 46W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygundur. Gate charge değeri 8.3nC (@5V) olup hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1043 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 30A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok