Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI147N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI147N12N3G
IPI147N12N3GAKSA1 Hakkında
IPI147N12N3GAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 120V drain-source voltajında 56A sürekli dren akımı sağlayabilen bu bileşen, 10V gate sürücü voltajında 14.7mΩ on-direnci ile karakterize edilmiştir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri ile yüksek akım uygulamalarında ısı dağıtımını optimize eder. Gate charge'ı 49nC @ 10V olan komponent, hızlı anahtarlama gerektiren güç elektronik devrelerinde kullanılır. İnverter, motor sürücü, güç kaynakları ve sınıf-D amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 107W güç dağıtımı kapasitesiyle, -55°C ile 175°C arasında çalışmak üzere tasarlanmıştır. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için üretilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 56A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3220 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 107W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.7mOhm @ 56A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok