Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI139N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI139N08N3G
IPI139N08N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI139N08N3GHKSA1, 80V drain-source gerilim kapasitesi ile çalışan 45A sürekli drain akımı özellikli N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 13.9mOhm (10V, 45A koşullarında) düşük on-resistance değeri sayesinde güç uygulamalarında verimli işlem sağlar. 25nC (10V'de) gate charge ve 1730pF giriş kapasitansı (40V'de) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, endüstriyel motor kontrol, güç dönüştürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi uygulamalarda kullanılır. Through-hole montaj türü ile PCB'ye sabitlenmesi kolaydır. Üretici statüsü obsolete olmasına rağmen, teknik özellikleri itibariyle benzer uygulamalarda eşdeğer bileşenler ile değerlendirilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1730 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.9mOhm @ 45A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok