Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI126N10N3 G
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI126N10N3
IPI126N10N3 G Hakkında
IPI126N10N3 G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 58A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması işlevini gerçekleştirir. TO-262-3 paketlemesi ile sunulan transistör, motor kontrol devreleri, güç kaynakları, endüstriyel invertörler ve PWM uygulamalarında kullanılır. 12.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Ürün durumu kullanımdan kaldırılmış olup, arşiv ve bakım uygulamaları için mevcuttur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 58A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok