Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI120P04P4L03AKSA1
MOSFET P-CH 40V 120A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI120P04P4L03
IPI120P04P4L03AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI120P04P4L03AKSA1, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 3.4mΩ on-resistance değeri ile enerji kaybı minimize edilir. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +175°C arası çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sağlar. 136W maksimum güç dağılım kapasitesi ile yoğun uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 234 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15000 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 340µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok