Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI120N10S405AKSA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI120N10S405AKSA1
IPI120N10S405AKSA1 Hakkında
IPI120N10S405AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 5.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-262-3 paketinde ürün, güç kaynakları, motor sürücüleri, elektriksel anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olup, 190W maksimum güç kayıplarını tolere edebilir. 91nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6540 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 120µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok