Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI120N10S403AKSA1
IPI120N10S4-03 - 75V-100V N-CHAN
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI120N10S4
IPI120N10S403AKSA1 Hakkında
IPI120N10S403AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajında 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 3.9mΩ on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge değeri 140nC olup hızlı anahtarlama performansı sunmaktadır. TO-262-3 paketinde sunulan bu komponent, güç denetimi, motor kontrolü, DC-DC dönüştürücüler ve enerji yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 250W maksimum güç tüketimi ile endüstriyel ve ticari sistemlerde tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 10120 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok