Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI120N08S403AKSA1
MOSFET N-CH 80V 120A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI120N08S403AKSA1
IPI120N08S403AKSA1 Hakkında
IPI120N08S403AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. 2.8mOhm maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük enerji kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 10V drive voltajında gate charge değeri 167nC olup, hızlı anahtarlama performansı sunar. Maksimum 278W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11550 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 278W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 223µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok