Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI120N06S4H1AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI120N06S4H1
IPI120N06S4H1AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI120N06S4H1AKSA1, N-kanallı MOSFET transistörüdür. 60V drain-source gerilimi ve 120A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 2.4mΩ düşük RDS(on) değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 250W maksimum güç tüketim kapasitesi ile ağır yüklü devrelerde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 270 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok