Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI120N06S402AKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI120N06S402
IPI120N06S402AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI120N06S402AKSA1, 60V drain-source voltajında 120A sürekli akım kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. 2.8mΩ maksimum RDS(On) direnci düşük ısıl kayıp sağlar. ±20V gate voltaj aralığında çalışabilir ve -55°C ile +175°C arasında sıcaklıklarda güvenli şekilde işletilir. Maksimum 188W güç dağıtım kapasitesi bulunmaktadır. Bileşen through-hole montaj tipidir ve endüstriyel uygulamalar için uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 195 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15750 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3-1 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok