Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI111N15N3GAKSA1
MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI111N15N3G
IPI111N15N3GAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI111N15N3GAKSA1, N-channel MOSFET transistörüdür. 150V Drain-Source gerilimi ile 83A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 11.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük on-direnç özelliği gösterir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüşümü uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, maksimum 214W güç yayınlayabilir. ±20V Vgs aralığında ve 8V-10V sürücü gerilimi ile kontrol edilebilmesi sayesinde standart PWM kontrol devrelerine kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 83A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3230 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1mOhm @ 83A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 160µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok