Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI110N20N3GAKSA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI110N20N3
IPI110N20N3GAKSA1 Hakkında
IPI110N20N3GAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 200V drain-source gerilimi ve 88A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. 10V gate sürüş geriliminde 11mOhm on-resistance değerine sahiptir. TO-262-3 paketlemesi ile PCB üzerine direk lehimleme yapılmaktadır. Anahtarlama hızı, düşük gate charge ve kompakt form faktörü sayesinde motor kontrolü, güç kaynakları, inverter ve yüksek akım anahtarlama devrelerinde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına ve 300W maksimum güç harcamasına sahiptir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 88A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 88A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok