Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100P03P3L-04
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100P03P3L
IPI100P03P3L-04 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI100P03P3L-04, 30V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip P-Channel MOSFET'dir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, 4.3mΩ maksimum on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. 200W maksimum güç dissipasyonuna ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Gate charge değeri 200nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, LED kontrol devreleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9300 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 475µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok