Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N10S305AKSA1
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N10S305
IPI100N10S305AKSA1 Hakkında
IPI100N10S305AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source voltaj kapasitesine sahip olan bu bileşen, 100A sürekli dren akımı sağlayabilir. TO-262-3 paketinde sunulan transistör, 5.1mOhm olan RDS(on) değeri ile düşük iç dirençe sahiptir. Maksimum 300W güç tüketebilmesine karşılık, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 176nC olup, 10V drive voltajında optimal performans gösterir. Endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve yüksek akımlı anahtarlama devrelerinde kullanılan bu MOSFET, through-hole montaj tipi ile PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir. Ürün status obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 176 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11570 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 240µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok