Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N08S207AKSA1
MOSFET N-CH 75V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N08S207AKSA1
IPI100N08S207AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI100N08S207AKSA1, 75V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile tasarlanmış N-Channel MOSFET'tir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 7.1mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük geçiş kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen komponent, güç dönüştürücüleri, motor kontrolü, enerji yönetim sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 300W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım işleme gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok