Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 70A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N08N3G
IPI100N08N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI100N08N3GHKSA1, 80V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 70A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 10mΩ on-state direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge karakteristiği 35nC ile hızlı anahtarlama işlemlerini destekler. -55°C ile +175°C arasında güvenilir şekilde çalışan bu transistör, DC-DC konvertörler, motor sürücüleri, güç yönetimi devrelerine uygulanmaktadır. Maximum 100W güç dağılımı kapasitesi ile yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2410 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 46A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok