Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N06S3L04XK
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N06S3L04XK
IPI100N06S3L04XK Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI100N06S3L04XK, 55V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahip N-Channel power MOSFET'tir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 3.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 362nC @ 10V'dur. ±16V maksimum gate-source voltajı ile çalışır ve gating süresi optimizasyon uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu bileşen, güç dönüştürme, motor kontrol, ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 214W güç dissipasyonuna dayanıklıdır. Obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 362 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 17270 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok