Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N06S3-03
MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N06S3
IPI100N06S3-03 Hakkında
IPI100N06S3-03, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V Drain-Source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.3mΩ RDS(on) değeri ile düşük kayıp karakteristiği sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç kaynağı tasarımları, güç dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilir. 10V gate sürü geriliminde 4V eşik gerilimi ve 480nC gate yükü özellikleriyle hızlı ve güvenilir komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 480 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21620 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 230µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok