Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N04S4H2AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N04S4H2
IPI100N04S4H2AKSA1 Hakkında
IPI100N04S4H2AKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate sürücü geriliminde 2.7mΩ düşük RDS(on) değerine sahiptir. 90nC gate charge ve 7180pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, güç dönüştürme devreleri, motor kontrolü, DC-DC konvertörleri ve yüksek akım anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7180 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 115W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok