Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI100N04S303AKSA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI100N04S303
IPI100N04S303AKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI100N04S303AKSA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajında 100A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sunar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamalarında, motor kontrolü sistemlerinde, anahtarlamalı güç kaynakları (SMPS) ve inverter devreleri gibi yüksek akım gerektiren elektronik uygulamalarda kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Kompakt tasarım ve Through Hole montaj tipi, yer tasarrufu gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik projelerine uygunluğunu artırır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 9600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok