Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPI09N03LA

MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IPI09N03LA

IPI09N03LA Hakkında

IPI09N03LA, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, düşük 9.2mΩ on-resistance değeri ile verimli enerji transferi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum gate charge 13nC ve ±20V gate-source gerilimi toleransı ile hızlı ve kontrollü anahtarlama performansı sunar. Part Status'u Obsolete olarak işaretlenmiştir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1642 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok