Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI086N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI086N10N3
IPI086N10N3GXKSA1 Hakkında
IPI086N10N3GXKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source voltajı ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akımı komutlayan uygulamalarda kullanılır. 8.6mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC/DC konvertörler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, maksimum 125W güç tüketimi kapasitesi ve ±20V gate voltaj toleransı ile zorlu ortam koşullarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3980 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok