Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI076N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI076N12N3G
IPI076N12N3GAKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI076N12N3GAKSA1, 120V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drain akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu FET, 7.6mΩ on-resistance değeri ile düşük kayıp uygulamalarında tercih edilir. 188W maksimum güç tüketimine dayanıklı olan bileşen, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Gate charge 101nC olup 10V sürücü geriliminde optimize edilmiştir. Güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB yapısına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 101 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6640 pF @ 60 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok