Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI075N15N3GHKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI075N15N3
IPI075N15N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI075N15N3GHKSA1, 150V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET transistörüdür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 7.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük açık direnç özelliği gösterir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında 300W güç dağıtabilmesi nedeniyle güç dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, elektrik ev aletleri ve endüstriyel uygulamalarda kullanılan bir transistördür. 93nC gate charge ve hızlı anahtarlama karakteristiği ile verimli devre tasarımı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5470 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok