Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI072N10N3GXKSA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI072N10N3
IPI072N10N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI072N10N3GXKSA1, N-kanallı MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesiyle 80A sürekli akım sağlayabilen bu bileşen, güç elektronikleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan transistör, 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilmesi, geniş sıcaklık aralığında uygulanabileceğini gösterir. 150W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle motor kontrol, güç kaynakları, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Bileşen yeni tasarımlar için artık önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok