Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI072N10N3GXK
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI072N10N3G
IPI072N10N3GXK Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI072N10N3GXK, 100V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, 7.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklıdır. Güç kaynağı yönetimi, motor kontrol, şarj devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maximum 68nC gate charge ve 3.5V threshold gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. Ürün statüsü itibariyle obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4910 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok