Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI070N08N3 G
MOSFET N-CH 80V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI070N08N3
IPI070N08N3 G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI070N08N3 G, 80V/80A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, düşük gate charge (56 nC) ve 7mΩ Rds(on) değerleriyle yüksek verimlilik sağlar. -55°C ile 175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, DC/DC dönüştürücüler ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB tasarımında kolay entegre edilebilir. Maksimum 136W güç tüketebilir ve ±20V gate voltajı toleransı vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3840 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 73A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 73µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok