Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI070N06N G
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI070N06N
IPI070N06N G Hakkında
IPI070N06N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajında 80A sürekli akım kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 7mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. TO-262-3 paketinde Through Hole montajı için tasarlanmıştır. Motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 250W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok