Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI05CN10N
IPI05CN10N G Hakkında
IPI05CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V Vdss ve 100A sürekli dren akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 5.4mΩ Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 300W'a kadar güç dağıtabilir. 10V gate sürücü voltajında çalıştırılır. Şu anda üretim dışı (Obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 181 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok