Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI052NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI052NE7N3G
IPI052NE7N3G Hakkında
IPI052NE7N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75V drain-source gerilimi ve 80A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu transistör, güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 5.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 paketinde sunulan komponent, -55°C ile +175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve anahtarlama konvertörleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok