Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI052NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 80A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI052NE7N3
IPI052NE7N3 G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI052NE7N3 G, 75V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistörüdür. 80A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulmaktadır. Maksimum 5.2mΩ on-direnç (RDS On) değeri ile düşük kayıp uygulamalara uygundur. 68nC gate charge değeri hızlı anahtarlama işlemlerine imkan tanır. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 150W güç dağılımı kapasitesiyle güç elektronikleri, motor sürücüler, DC-DC dönüştürücüler ve ağır akım anahtar uygulamalarında kullanılır. Ürün kullanım dışı (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.2mOhm @ 80A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok