Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

IPI04N03LA

MOSFET N-CH 25V 80A TO262-3

Paket/Kılıf
TO-262-3 Long Leads
Seri / Aile Numarası
IPI04N03LA

IPI04N03LA Hakkında

IPI04N03LA, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V Drain-Source gerilimi ve 80A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.2mOhm (10V, 55A şartlarında) düşük on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrolleri, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 32nC Gate Charge ve 3877pF Input Capacitance ile hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Maksimum 107W güç tüketim kapasitesine ve ±20V Vgs desimine sahiptir. Part Status: Obsolete.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3877 pF @ 15 V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2mOhm @ 55A, 10V
Supplier Device Package PG-TO262-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 60µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok