Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI04CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI04CN10N
IPI04CN10N G Hakkında
IPI04CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 100A sürekli drain akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.2mΩ tipik on-state direnci ile verimli anahtarlama sağlar. ±20V gate gerilim aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında sıcaklık ortamlarında güvenilir performans gösterir. Motor kontrol, güç kaynakları, inverter devreler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 210nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 210 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok