Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI045N10N3GXK
MOSFET N-CH 100V 137A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI045N10N3G
IPI045N10N3GXK Hakkında
Infineon IPI045N10N3GXK, 100V drain-source voltajında çalışan N-channel MOSFET transistördür. 137A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. TO-262-3 paketinde sunulan bu bileşen, 4.5mOhm maximum on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge özellikleri ve düşük input capacitance değeri, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilmesini sağlar. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Çalışma sıcaklık aralığı -55°C ile 175°C arasındadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 137A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8410 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok