Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI040N06N3
IPI040N06N3GXKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI040N06N3GXKSA1, 60V drain-source voltaj ve 90A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-channel MOSFET'tir. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu transistör, 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında 188W güç yayınlayabilir. Gate şarjı 98nC ve input kapasitansi 11000pF olarak belirtilmiştir. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kullanılabilir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V maksimum gate-source voltajı ve 4V threshold voltajı ile esnek sürücü seçenekleri sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 98 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 11000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok