Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI037N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI037N08N3G
IPI037N08N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI037N08N3GHKSA1, N-Channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) olarak tasarlanmış bir güç anahtarlama bileşenidir. 80V drain-source gerilimi ve 100A sürekli dren akımı kapasitesi ile, yüksek akımlı DC-DC dönüştürücüleri, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-262 paket formatında sunulan bu transistör, 3.75mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı sayesinde çeşitli ortamlarda güvenli operasyon gerçekleştirebilir. Gate charge değeri 117nC olup, hızlı anahtarlama uygulamaları için optimize edilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8110 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.75mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok