Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI037N06L3GHKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI037N06L3
IPI037N06L3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI037N06L3GHKSA1, 60V drain-source voltajında çalışabilen N-channel MOSFET transistördür. 90A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç elektronik uygulamalarında kullanılan bu bileşen, TO-262-3 paketinde sunulmaktadır. 3.7mΩ on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ortamlar dahil çeşitli uygulamalarda tercih edilir. Motor sürücüleri, güç kaynakları, inverter devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Gate charge değeri 79nC olup hızlı komütasyon özelliği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 90A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7mOhm @ 90A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok