Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI034NE7N3G
N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI034NE7N3G
IPI034NE7N3G Hakkında
IPI034NE7N3G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 75V drain-source gerilimi ve 100A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmaktadır. 3.4mOhm (10V, 100A koşullarında) düşük on-state direnci ile verimli güç iletimini sağlar. TO-262-3 Long Leads (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç kaynakları, motor sürücüleri, enerji dönüştürücüler ve anahtarlama devrelerinde uygulanır. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında ve 214W maksimum güç kaybı kapasitesine sahiptir. 117nC gate charge ve 8130pF input capacitance değerleriyle kontrol devrelerinin tasarımında dikkate alınması gereken parametrelerdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8130 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 155µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok