Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI032N06N3GAKSA1
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI032N06N3
IPI032N06N3GAKSA1 Hakkında
IPI032N06N3GAKSA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.2mΩ On-Resistance değeri ile düşük ısıl kayıp sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, motor kontrol uygulamaları, anahtarlama güç kaynakları (SMPS) ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 188W maksimum güç dağıtımını destekler. ±20V Gate-Source gerilimi ile çalışan bu MOSFET, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok