Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI032N06N3 G
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI032N06N3
IPI032N06N3 G Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI032N06N3 G, 60V drain-source voltaj ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 120A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve elektriksel dönüştürücülerde kullanılır. 3.2mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. TO-262-3 (I²Pak) paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Yüksek akım uygulamalarında tercih edilen bu transistör, endüstriyel güç devreleri, invertörler ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak uygulanır. Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 165 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 188W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok