Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI029N06NAKSA1
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI029N06NAKSA1
IPI029N06NAKSA1 Hakkında
IPI029N06NAKSA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ile çalışan bu bileşen, 24A sürekli akım kapasitesine (Ta) ve 100A kapasite akımına (Tc) sahiptir. TO-262-3 paketinde sunulan transistör, düşük RDS(on) değeri (2.9mΩ @ 100A, 10V) sayesinde enerji verimliliği gerektiren uygulamalarda tercih edilir. ±20V maksimum kapı gerilimi aralığında çalışır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama, güç yönetimi, motor kontrol ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Standart THT montaj tipi ile PCB'ye entegre edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4100 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.9mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 75µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok