Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI028N08N3GHKSA1
MOSFET N-CH 80V 100A TO262-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI028N08N3
IPI028N08N3GHKSA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPI028N08N3GHKSA1, 80V drain-source gerilim ve 100A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET'tir. TO-262-3 paketinde sunulan bu transistör, 2.8mΩ maksimum Rds(On) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamaları için tasarlanmıştır. 300W güç disipasyonu kapasitesi ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve güç kaynağı devrelerinde kullanılan sağlam bir bileşendir. ±20V Vgs aralığında çalışan bu MOSFET, 206nC gate charge ve 14200pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok