Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPI023NE7N3 G
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-262-3 Long Leads
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPI023NE7
IPI023NE7N3 G Hakkında
IPI023NE7N3 G, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V Drain-Source gerilimi ve 120A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 2.3mΩ düşük on-resistance değeri, motor kontrol, güç kaynakları, invertörler ve ağır yük anahtarlama devrelerinde enerji kaybını minimize eder. TO-262-3 paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 300W güç saçılmasına dayanır. Düşük gate charge (206nC) ile hızlı komütasyon özelliği sağlar. Sonuç ürün olarak kullanımdan kaldırılmış (Obsolete) olmakla birlikte, stok bulunduğu sürece temin edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 37.5 V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO262-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok